紅外焦平面陣列技術的未來二十年
一、引言
本世紀中超大規(guī)模集成電路和微電機械加工(MEMS)技術的發(fā)展,使紅外探測器技術取得了驚人的進展,紅外焦平面陣列技術是這種技術發(fā)展的一個里程碑。因紅外探測的隱蔽性和有效性,其應用領域主要是軍事方面,對該技術的迫切期望使之成為軍方的“寵兒”。特別是冷戰(zhàn)軍備競賽,軍方投入巨資使紅外探測技術發(fā)展突破了前進道路上一個又一個的障礙,使紅外探測器技術從30年代單一的PbS器件發(fā)展到現(xiàn)在的多個品種,包括InSb、HgCdTe、PtSi、InGaAs、GaAlAs、非本征硅等量子探測器、 Vox、PZT、多晶硅和非晶硅等熱探測器;從單元器件發(fā)展到目前焦平面信號處理的大型紅外焦平面探測器。其陣列集成規(guī)模已高達2048′2048元[2],從低溫工作發(fā)展到了目前的77K或室溫工作陣列,特別是近年的發(fā)展已接近于可見光CCD、APS和CMOS圖像傳感器的水平。同時紅外探測技術正在急速地拓展新的應用領域和市場,迅速地滲透到廣闊的商用領域,改變其長期以來主要用于軍用領域的狀況。
二、器件制造技術的發(fā)展趨勢
1、陣列集成規(guī)模將進軍4K′4K
… 閱讀全文